采用JFET晶体管置于电路中实现高频LC振荡器的设计
将jfet用于不寻常的电路结构中，就可以设计出无源元件很少的简单高频lc振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的jfet晶体管（图 1）。当jfet工作在饱和区时，漏极电流id为：
式中，idss为最大饱和电流，vp为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的jfet的模型。下列公式确定jfet的小信号跨导：
栅极电阻 rg提供栅极到地的必要连接。rg的典型值在几兆欧姆范围内，以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻 rs可使晶体管偏置，其阻值由下述公式确定：
要完成整个振荡电路，还要在放大级增加一个 lc 谐振回路（图 2），最终形成一个考毕兹振荡器。由于 lc 谐振回路的电感，栅极与地之间存在直流连接，消除了放大器的栅极电阻。
用巴克豪森准则对这一电路进行分析，电路的振荡频率 f0为：
电路起振所需电容器条件为：
或，放大器级的电压增益av，即vout（t）/vg（t）为：
式中共漏级电压增益为：
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