N沟道MOS管ASDM60N200P在工业开关电源的应用
工业开关电源一般为100w~500w多为24v/12v/48v输入，输出多为12v、5v、3.3v等，一般电路图如下所示分为初级降压电路和输出整流电路。如以下工业开关电源电路图所示，原边的降压电路和输出整流都会用到mos管，以24v输入，12v/10a输出电源为例，原边和副边的mos管耐压值必须达到60v及以上，为了提高电源效率，mos管的导通电阻尽量小。
工业开关电源电路图
安森德的n沟道mos管asdm60n200p(替代万代aon6244)的漏源电压最大额定值为60v;在vgs=10v，tc=25℃条件下的连续漏极电流最大额定值为200a，这一特性可以满足输入或输电压不大于48v的大部分开关电源应用;
asdm60n200p采用沟槽型工艺，具有极低漏源导通电阻，vgs=10v条件下的漏源导通电阻最大值2.6mω，采用to-263、to-220封装，具有低栅极电荷特性，这一特性可以极大地降低mos管的损耗，应用在12v~48v的dc/dc开关电源中，能有效降低开关电源损耗，从而提高电源效率。
asdm60n200p封装图
asdm60n200p的单脉冲雪崩能量最大额定值为465mj，器件在tc=25℃条件下的功耗最大额定值为280w，可以工作在极大的安全工作区域内。器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。整体看来asdm60n200p具有极高的可靠性，应用在工业开关电源项目上，也提高了开关电源的可靠性。
通过以上分析，asdm60n200p的电气参数和可靠性完全满足几百瓦的工业开关电源应用。
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asdm60n200p采用沟槽型工艺，具有极低漏源导通电阻，vgs=10v条件下的漏源导通电阻最大值2.6mω，采用to-263、to-220封装，具有低栅极电荷特性，这一特性可以极大地降低mos管的损耗，应用在12v~48v的dc/dc开关电源中，能有效降低开关电源损耗，从而提高电源效率。
asdm60n200p封装图
asdm60n200p的单脉冲雪崩能量最大额定值为465mj，器件在tc=25℃条件下的功耗最大额定值为280w，可以工作在极大的安全工作区域内。器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。整体看来asdm60n200p具有极高的可靠性，应用在工业开关电源项目上，也提高了开关电源的可靠性。
通过以上分析，asdm60n200p的电气参数和可靠性完全满足几百瓦的工业开关电源应用。
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