这一节继续对共射放大电路进行总结分析,讲述晶体管频率特性不扩展的原因!
关键:共射放大器电路;
表1-1 共射放大电路的设计规格
01
测量使用的晶体管的频率特性
图1-1表示所用晶体管2sc2458电压放大倍数以及相位的频率特性(1khz~10mhz)曲线:
图1-1 电路的频率特性
图1-1中截至频率为3.98mhz。
采用高频特性的放大晶体管2sc2668进行替代,图1-2是2sc2668的频率特性图:
图1-2 2sc2668的频率特性图
由图1-2可知,其截至频率f ch =6.6mhz,频率特性向高频扩展,但是扩展的数值并不多,没有两倍,其原因是所实验的电路,没有很好地进行封装而使得高频特性不好,除此之外,还可以认为是所谓晶体管的密勒效应而引起高频性能下降的缘故。
02
频率特性不扩展的理由
图2-1表示晶体管内部存在的电阻和电容,实际上,在晶体管的基极存在串联电阻r b ,在各个端子之间存在电容cbc、cbe和cce。
图2-1 晶体管内部电阻与电容
图2-2(a)是考虑到这些电阻、电容而改画之后的工发射极放大电路:
图2-2 使共发射极电路高频特性下降的要素
在这里,成为问题的是基极-集电极间电容cbe。基极端子的交流电压为vi,集电极端子的交流电压为-vi* ,所以在cbe两端加的电压为vi(1+av)。为此,在cbe上流动的电流只是在cbe上加vi时的(1+av)倍。因此,由基极端来看cbe时,可以将cbe看成具有(1+av)倍电容的电容器。这就是所谓的米勒效应现象了。就是说,晶体管的输入电容ci是1+av倍cbe和cbe之和,所以如图2-2(b)所示,ci与基极串联电阻rb形成低通滤波器,为此,在高频范围,电路的放大倍数下降。
科大讯飞追逐人工智能红利:加码消费者硬件业务
同步降压MOSFET电阻比的正确选择
小米13 Pro怎么样?拆解评测小米13 Pro
诺基亚6评测 1699元到底值不值
赛灵思联手三星进行全球5G商用部署
晶体管频率特性不扩展的原因是什么
5G+远程控制等应用可在物理网络上实现多个资源隔离的逻辑网络
SmartNIC与普通的NIC差别在哪?
安森美半导体灵活、小巧、低功耗的USB Type-C方案加速系统设计
北斗短报文DTU 北斗通信DTU无线数传终端
电源变压器的主要参数
中威电子车道智能落地机柜,助力智慧高速建设
如何利用AVR单片机设计出语音识别系统
智能安防与联动系统的四大功能深度解析
喜推智能crm系统4大优势 引领中国CRM系统发展
磐石测控:DAGE4000多功能焊接强度测试仪的技术特点?
5G新通话的业务场景及功能
铝壳电阻一般如何安装
国际人机物智能大会在海口成功举办
新唐科技笔记本电脑,网络通讯 / 储存系列简介