近年来,无线终端凭借低成本、低功耗和便于组网的优越性逐渐成为校园、机场、医院和家庭接人因特网的首选方案,无线接入技术得到迅速发展和广泛应用。无线收发模块的设计研究已成为一个重要研究方向。
本文介绍了一种应用于ieee 802.11b/g无线局域网标准的2.4 ghz ism单片cmos接收机射频前端设计。ieee 802.11b是目前市场上主流产品标准,而ieee 802.11g则是ieee 802.11系列的核心标准之一,它兼容另外两个核心标准ieee 802.11a和ieee802.11b,即同时支持ieee 802.11a的ofdm(正交频分复用)和ieee 802.11b的cck(补码键控)编码的dss(直接序列扩频)调制方式。本文中设计的接收机应用于dss调制方式。
1 系统结构
考虑到低成本、低功耗和高集成度,针对ieee802.11b/g本身宽信道带宽特性,本文采用直接下变频接收机结构。随着电路技术和工艺的进步,直接变频所固有的问题得到很大改善。尤其是直流偏移和1/f闪烁噪声问题,现在都能有效地降低它们的影响。
表1列出了近期设计的射频前端性能总结。
图1给出了接收机的系统结构,包括低噪声放大器、i/q下变频器、去直流耦合电路、基带线性放大器和信道选择滤波器。
dss标准包含11个2 mhz带宽的子信道,总的信道带宽为22 mhz。如果在保证误帧率在8×102情况下,要达到灵敏度为-80 dbm,那么,
knf+rsnr=174 dbm-10log(22 mhz)-80 dbm=20.6 dbm
式中:knf为噪声系数;rsnr为信噪比。
针对需要的fer,假设rsnr≈10 db,再考虑到射频滤波器约2 db损耗,接收机的要求低于8.6 db。
标准还要求在接收信号-74 dbm时,具有40 db的邻近信道抑制能力,鉴于此,接收机的输入1 db压缩点要达到至少-30 dbm左右。
2 电路实现
2.1低噪声放大器
图2给出了低噪声放大器电路具体实现。电路采用典型的差分cascode结构,增加对片上干扰抑制,减少源极寄生电感影响,另外,还能提高cmrr(共模抑制比)。不过,相对于单端输入单端输出,差分结构带来更大的功耗。
下面只分析放大器对称的左半部分,它是一个窄带cascode结构低噪声放大器,这种结构能得到更好的噪声性能。ls和ld采用片上电感,lc、lg由键合电感实现。m1、m3是跨导晶体管,共栅连接的m2、m4提高输出输入之间的隔离,并减少m1、m3漏极电容cgd的密勒效应。电容cd、cout和ld调节输出匹配并起到与次级电路隔直的作用。
当然,除此之外,在优化电路时还应该考虑到电容cs的影响,但式(1)、式(2)给出了各元件对电路性能的影响趋势,这点在设计电路时具有指导意义。
仔细选择器件参数,得到0.84 db的噪声系数。从图3的仿真结果可看出,电路优化结果使knf非常接近knfmin。
用电感le代替传统的尾电流源提高差分电路的共模抑制比,这样可以节省直流电压裕度。
下式给出了cmrr(记为rcmrr)的参考公式:
式中:za为差分对管虚地点对地的阻抗。
电感采用键合电感,因为它有高q值和节省芯片面积的优势。
仔细地在功耗与性能之间获取均衡,实现的低噪放噪声系数为0.84 db,增益为16 db,s11《-15 db,直流电压1.8 v时电流为7.6 ma。
2.2 i/q下变频器
图4给出了i/q正交下变频器的一路混频器。混频器的设计需要仔细选择每一个参数来平衡增益、线性度与噪声之间的矛盾。由于处于接收机射频信号最强处,往往混频器对线性度的要求很高。本文采用gilbert单元有源双平衡混频器,具有较高的各端口之间的隔离度。跨导级晶体管源极直接接地,以提高混频器的线性度。电路中还采用电流注入技术,以降低混频器开关管的低频噪声,同时可以增大跨导级电流,改善线性度。
gilbert单元的iip3可以表示为:
式中:i和k分别是跨导电路的偏置电流和跨导参数。
当本振信号是正弦波时,与开关对管有关的噪声为:
式中:a为本振信号的幅度;isw为开关对管的偏置电流。
分析式(4)和式(5),需要增大跨导差分对管的偏置电流来提高混频器的线性度,同时又必须减小开关对管的偏置电流来降低开关噪声,因此,需要采用电流注入技术来解决二者之间的矛盾。
2.3 交流耦合
直流偏移的解决是直接下变频结构的难点之一。这里可以采用一个去直流的高通滤波器,该滤波器具有很低的拐角频率。
图5描述了文献[2]的研究结果关于高通滤波器的拐角频率对传输数据恢复的影响。
研究结果表明,当高通滤波器的fc为传输数据速率的0.1%时,数据能够被正确地传输和恢复。针对ieee 802.11接收机fc设计应该达到10 khz。
图6是交流耦合高通滤波器的具体实现电路。采用线性区mos器件提供兆欧级电阻,可以节省电阻面积。
设计偏置电路,使m1工作在饱和区,m2工作在线性区,那么,
如果l2=l1,w1=w2,则ron2=g-1m1。降低gm1,就可以得到很大的ron2。
电路设计时需要注意2个问题:一是m1和m2开启电压的失配,因此需要将晶体管过驱动电压设计大于200 mv抑制失配的影响;二是由于输入信号电平导致m2的ron2变化,幸运的是,鉴于信号波形特性,信道内的失真容限很高,而耦合电容在邻信道频率呈现较低阻抗,信道外失真较大。
2.4 基带线性放大器
图7是基带线性放大器和差分高通滤波器的完整电路。
与图6不同的是,m2、m3共用一个m1晶体管做偏置。基带放大器采用单管直接带负载电阻输出,以提高电路的线性度,改善系统整体性能。
2.5 信道选择滤波器
图8是简单的信道选择滤波器电路。其中运算放大器连接成单位增益,可以用源极跟随器实现,但为了降低引入闪烁噪声,源极跟随器应该使用大尺寸的晶体管。
信道选择滤波器的传输函数计算公式为:
2.6 l/f闪烁噪声
在直接下变频结构中,l/f闪烁噪声是不可避免的,需要设计者仔细考虑。然而对于ieee 802.11b/g协议的22 mhz信道带宽(基带信号占用11 mhz以内的频带),具有几百khz拐角频率闪烁噪声的影响可以降到忽略不计的程度。证明如下。
如果fcorner=200 khz,有sl/f(200 khz)=sth,这里sl/f和sth分别表示l/f噪声和热噪声的功率谱密度。假设sl/f=k/f,其中k=(200 khz)×sth。下面计算从10 khz到11 mhz总的噪声:
如果电路没有闪烁噪声,总的噪声功率为:v2n=(11 mhz)sth,仅仅低了0.2 db。根据文献[2]分析,即使考虑到100 hz的闪烁噪声,信噪比最大的退化也低于0.6 db。因此,这里低频闪烁噪声并不足以影响系统整体性能指标。
3 版图和设计结果
接收机射频前端使用tsmc 0.18μm cmos工艺实现,版图面积为1 280μm×1 200μm。图9给出了整个系统的版图照片。
图10是系统低频基带部分的传输函数,-3 db带宽为9 khz~11 mhz。
接收机前端性能总结如下:输入频率为2.4 ghz,噪声系数为3.5 db,电压增益为31 db,s11为小于-15 db,iip3为-8 dbm,ip2为大于+30 db,输入ldb功率为-25 db,采用工艺为cmos 0.18μm,功耗为32 mw。可以看出,在兼顾低功耗和线性度同时,获得了非常好的增益和噪声性能。
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