三星电子宣布开发了业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组
三星电子宣布（3月25日），开发了业内首款容量达到512gb的ddr5内存模组。
据悉，存储颗粒采用高电介质金属栅极（hkmg）晶体管工艺制造，进一步降低漏电。
单dram芯片的容量是16gb（2gb），通过tsv穿孔实现了8层堆叠，也就是16gb，凑成512gb的话总计需要32颗。
速度方面，这款ddr5内存条的速度高达7200mbps，也就是7200mhz频率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。
intel副总裁carolyn duran确认，三星的新款ddr5内存和下一代至强可扩展处理器（sapphire rapids蓝宝石激流）兼容。根据路线图，sapphire rapids应该是第四代至强可扩展处理器，年底前登陆，除了ddr5，还会首发pcie 5.0。
三星表示，旗下多款ddr5内存已经进入试样阶段。
对于普通消费者来说，对ddr5的支持要等到下半年的12代酷睿（alder lake）和amd zen4了。
那么，最近有买内存的小伙伴吗？内存条的价格是不是在悄然上涨？
据供应链消息，dram内存颗粒的现货价格最近极速上涨，今年初到现在已经涨了60%多，是2019年3月份以来的最高价格水平。
内存价格大涨与多方面需求有关，pc、消费电子以及汽车行业的生产正在迅速恢复，导致内存芯片需求意外增长。
这一次的内存价格上涨还看不到头，短期内无法解决，三星、sk海力士及美光三大内存巨头过去两年就在削减内存产能，再加上最近半年来全球半导体产能紧张，各种电子元件都在涨价，内存价格已经无法回头。
唯一的变数就要看国产内存了，生产内存模组的厂商光威之前表态，喊出了“内存涨价不要怕，光威纯国产内存2021年将大幅增产”的口号，他们采用合肥长鑫内存颗粒的纯国产内存今年会大幅增产，有望抑制内存价格涨势。
此前合肥产投集团披露，截至2020年底，合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能，开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。
另外，存储大厂sk海力士的ceo李锡熙（seok-hee lee）近日在ieee国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲，分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。
3d nand闪存方面，如今行业的发展重点不是更先进的工艺，也不是qlc、plc，而是堆叠层数的不断增加，sk海力士就已经做到了176层。
sk海力士此前认为，3d闪存的堆叠层数极限是500层，不过现在更加乐观，认为在不远的将来就能做到600层。
当然，为了做到这一点，需要在技术方面进行诸多创新和突破，比如sk海力士提出了原子层沉积（ald）技术，进一步强化闪存单元属性，可以更高效地存储、释放电荷，并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。
为了解决薄膜应力（film stress）问题，sk海力士引入了新的氮氧化物材料。
为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题，sk海力士开发了独立的电荷阱氮化物（ctn）结构，以增强可靠性。
另外针对dram内存发展，sk海力士在考虑引入euv极紫外光刻，可将工艺制程推进到10nm以下。
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据悉，存储颗粒采用高电介质金属栅极（hkmg）晶体管工艺制造，进一步降低漏电。
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速度方面，这款ddr5内存条的速度高达7200mbps，也就是7200mhz频率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。
intel副总裁carolyn duran确认，三星的新款ddr5内存和下一代至强可扩展处理器（sapphire rapids蓝宝石激流）兼容。根据路线图，sapphire rapids应该是第四代至强可扩展处理器，年底前登陆，除了ddr5，还会首发pcie 5.0。
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唯一的变数就要看国产内存了，生产内存模组的厂商光威之前表态，喊出了“内存涨价不要怕，光威纯国产内存2021年将大幅增产”的口号，他们采用合肥长鑫内存颗粒的纯国产内存今年会大幅增产，有望抑制内存价格涨势。
此前合肥产投集团披露，截至2020年底，合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能，开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。
另外，存储大厂sk海力士的ceo李锡熙（seok-hee lee）近日在ieee国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲，分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。
3d nand闪存方面，如今行业的发展重点不是更先进的工艺，也不是qlc、plc，而是堆叠层数的不断增加，sk海力士就已经做到了176层。
sk海力士此前认为，3d闪存的堆叠层数极限是500层，不过现在更加乐观，认为在不远的将来就能做到600层。
当然，为了做到这一点，需要在技术方面进行诸多创新和突破，比如sk海力士提出了原子层沉积（ald）技术，进一步强化闪存单元属性，可以更高效地存储、释放电荷，并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。
为了解决薄膜应力（film stress）问题，sk海力士引入了新的氮氧化物材料。
为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题，sk海力士开发了独立的电荷阱氮化物（ctn）结构，以增强可靠性。
另外针对dram内存发展，sk海力士在考虑引入euv极紫外光刻，可将工艺制程推进到10nm以下。
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