如何在电源上选择MOS管
在开关电源应用mos管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷qg ×导通阻抗rds(on))。来对mos管来验证。
那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都是对电源的效率有直接的影响，主要是传导损耗和开关损耗。
还有在电源中第二重要的是mos管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。
用于针对n+1冗余拓扑的并行电源控制的mos管在oring fet应用中，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性，比如，在电源设计中，每个电源常常需求多个oring mos管并行工作，需（找元器件现货上唯样商城）求多个器件来把电传播送给负载。在许多状况下，设计人员必需并联mos管，以有效降低rds(on)。在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比方，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻 。因而，普通来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就能够让设计人员把电源中所用mos管的数目减至少。
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