MPS | DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀
nmos管的主回路电流方向为d极到s极，导通条件为vgs有一定的压差，即vg-vs>vth；pmos管的主回路电流方向为s极到g极，导通条件为vsg有一定的压差，即vs-vg>vth。故一般把nmos作为下管，s极接地，只要给g极一定电压即可控制其导通关断；把pmos作为上管，s极接vin，g极给个低电压即可导通。当然nmos管也可作为上管，但需要增加自举驱动电路。
对于一些拓扑，比如buck、boost、buck-boost这些用nmos作为上管的拓扑，就没办法直接用刚才说的只给g极一个电平来驱动。假如此时d极接vin，s极的电压不定，nmos管截止时为低电平，导通时接近高电平vin，需要板子上给g极一个更高的电压，但此时板子已无比vin更高的电平了，那么就可以采用自举驱动电路。
如图为用于驱动上mos管的电容自举驱动电路。该自举电容通过二极管接到vcc端，下接上mos管的s极。当驱动电路驱动下mos管导通时，vcc通过二极管、rboot、下mos管，对cboot充电。充电时间为下mos管的导通时间，我们定为toff（上mos管）；当下管关断后，驱动电路导通上mos管，cboot的下端电压变为vin，由于电容两端电压不能突变，所以cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压，就能保持上管持续导通，此时vboot的电压通过rboot和内部电路放电，放电时间为ton（上mos管）。找元器件现货上唯样商城
自举电容充电过程如图：
下mos管导通时开始充电，充电电压对时间的关系如公式一所示：
vcboot_max = v0 + vcc x [1–exp (-toff/rc)]；
充电电流对时间的关系如公式二所示：
i = cdu/dt = c x △vcboot/toff。
接下来看一下其放电过程：上mos管导通时开始放电，放电电压对时间的关系如公式三所示：
vcboot_min = exp [ -ton/ (rtotal x c) ] x vcboot_max
放电电流对时间的关系如公式四所示：
i = cdu/dt = c x △vcboot/ton
至此我们已经掌握自举驱动电路的“窍门”。
应该如何正确地选择合适的电容、电阻呢
电容的选型主要基于其耐压值和容量大小。耐压值要大于等于vcc减去二极管和下mos管的导通电压。驱动电路上有其他功耗器件由该电容供电，所以要求电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。
由以上限制和公式三可推出需要ton <= （rtotal x c）x ln0.9。由该式可知ton的最大值与自举电容和自举电阻的大小有关。如果容值太小，其两端的电压降会过大，会出现占空比无法展开的情况。但是容值也不能太大，太大的电容会导致最小toff变大，电容充不满电也会导致占空比无法展开，并且会导致二极管在充电的时候冲击电流过大。
了解完电容后，自举电阻该怎么选型呢?
自举电阻的电压等于充电电流乘以其阻值，所以其耐压值要大于最大充电电流乘以其阻值；同样自举电阻的阻值会影响自举电容充电时间，也会影响占空比, r越大，所需充电时间越长。同时自举电阻阻值的增加会降低上mos管的驱动电压，增加cgs的充电时间，从而降低上mos管导通时的电压电流的变化率和sw波尖峰。
图注：自举电阻为0ω时，sw的测试波形
将电阻增大到45ω时，可以明显看出自举电阻越大，sw波上升斜率越小，同时sw的尖峰越小，验证了前面的结论。
图注：电阻增大到45ω时，sw的测试波形
华为P20系列曝光，后置三摄像头+刘海屏
意大利进口微生物快速检测仪HM-W80仪器特点是怎样的？
意法半导体（ST）应用软件让客户在安卓设备上快速完成项目研发
派能科技披露2020年业绩报告：同比增长36.62%
Micro LED技术要在未来显示市场站稳脚应如何怎样做
MPS | DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀
投影机的选购与使用经验,Projector purchase and using experience
RAN-in-the-Cloud：为 5G RAN 带来云经济效益
新津围绕智能制造产业打造科技创新体系，推动经济高质量发展
AR/VR好似一颗新星般闪耀于科技领域
椭圆曲线密码学详细解析
新能源车逆变器工作原理
华为手机出货目标再上调 韩媒称明年或达1亿部
移动通信技术，促进社会数字化转型，缔造未来的智慧生活
灵动微电动车辆方案可满足客户及市场多领域的需求
抑噪助听器电路原理图
TCL投资JOLED,联合研发喷墨印刷OLED技术
平面变压器在开关电源中的技术优势
rt-thread studio新建gd32f450工程
优傲机器人助力北汽李尔方案
对于一些拓扑，比如buck、boost、buck-boost这些用nmos作为上管的拓扑，就没办法直接用刚才说的只给g极一个电平来驱动。假如此时d极接vin，s极的电压不定，nmos管截止时为低电平，导通时接近高电平vin，需要板子上给g极一个更高的电压，但此时板子已无比vin更高的电平了，那么就可以采用自举驱动电路。
如图为用于驱动上mos管的电容自举驱动电路。该自举电容通过二极管接到vcc端，下接上mos管的s极。当驱动电路驱动下mos管导通时，vcc通过二极管、rboot、下mos管，对cboot充电。充电时间为下mos管的导通时间，我们定为toff（上mos管）；当下管关断后，驱动电路导通上mos管，cboot的下端电压变为vin，由于电容两端电压不能突变，所以cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压，就能保持上管持续导通，此时vboot的电压通过rboot和内部电路放电，放电时间为ton（上mos管）。找元器件现货上唯样商城
自举电容充电过程如图：
下mos管导通时开始充电，充电电压对时间的关系如公式一所示：
vcboot_max = v0 + vcc x [1–exp (-toff/rc)]；
充电电流对时间的关系如公式二所示：
i = cdu/dt = c x △vcboot/toff。
接下来看一下其放电过程：上mos管导通时开始放电，放电电压对时间的关系如公式三所示：
vcboot_min = exp [ -ton/ (rtotal x c) ] x vcboot_max
放电电流对时间的关系如公式四所示：
i = cdu/dt = c x △vcboot/ton
至此我们已经掌握自举驱动电路的“窍门”。
应该如何正确地选择合适的电容、电阻呢
电容的选型主要基于其耐压值和容量大小。耐压值要大于等于vcc减去二极管和下mos管的导通电压。驱动电路上有其他功耗器件由该电容供电，所以要求电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。
由以上限制和公式三可推出需要ton <= （rtotal x c）x ln0.9。由该式可知ton的最大值与自举电容和自举电阻的大小有关。如果容值太小，其两端的电压降会过大，会出现占空比无法展开的情况。但是容值也不能太大，太大的电容会导致最小toff变大，电容充不满电也会导致占空比无法展开，并且会导致二极管在充电的时候冲击电流过大。
了解完电容后，自举电阻该怎么选型呢?
自举电阻的电压等于充电电流乘以其阻值，所以其耐压值要大于最大充电电流乘以其阻值；同样自举电阻的阻值会影响自举电容充电时间，也会影响占空比, r越大，所需充电时间越长。同时自举电阻阻值的增加会降低上mos管的驱动电压，增加cgs的充电时间，从而降低上mos管导通时的电压电流的变化率和sw波尖峰。
图注：自举电阻为0ω时，sw的测试波形
将电阻增大到45ω时，可以明显看出自举电阻越大，sw波上升斜率越小，同时sw的尖峰越小，验证了前面的结论。
图注：电阻增大到45ω时，sw的测试波形
华为P20系列曝光，后置三摄像头+刘海屏
意大利进口微生物快速检测仪HM-W80仪器特点是怎样的？
意法半导体（ST）应用软件让客户在安卓设备上快速完成项目研发
派能科技披露2020年业绩报告：同比增长36.62%
Micro LED技术要在未来显示市场站稳脚应如何怎样做
MPS | DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀
投影机的选购与使用经验,Projector purchase and using experience
RAN-in-the-Cloud：为 5G RAN 带来云经济效益
新津围绕智能制造产业打造科技创新体系，推动经济高质量发展
AR/VR好似一颗新星般闪耀于科技领域
椭圆曲线密码学详细解析
新能源车逆变器工作原理
华为手机出货目标再上调 韩媒称明年或达1亿部
移动通信技术，促进社会数字化转型，缔造未来的智慧生活
灵动微电动车辆方案可满足客户及市场多领域的需求
抑噪助听器电路原理图
TCL投资JOLED,联合研发喷墨印刷OLED技术
平面变压器在开关电源中的技术优势
rt-thread studio新建gd32f450工程
优傲机器人助力北汽李尔方案