台积电5nm量产顺利，3nm工艺4月揭秘
台积电在芯片工艺制成方面的进展相当不错，不仅率先实现了7nm的量产，而且5nm也马上实现大规模量产，并进行商用。关于台积电5nm进度情况，台积电ceo魏哲家在财报分析师电话会议上透漏了进度。
魏哲家表示，台积电目前话没有大规模量产5nm芯片，但已经研发多年，并且早已进行了试产。目前5nm工艺进展非常顺利，将会于今年上半年实现大规模量产，下半年产能会有比较显著的提升。
相比7nm工艺，5nm在晶体管密度方面提升了80%，速度提升20%，当然这些数据都是理论值。今年5nm将会为台积电带来10%的营收，如果不出意外，第一款采用台积电5nm的芯片将会是苹果的a14。
3nm具体情况4月公布，将决战三星 上周台积电宣布2020年的资本开支是150到160亿美元，其中80%将投向先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm。这次说法会上台积电没有公布3nm工艺的情况，因为他们4月份会有专门的发布会，会公开3nm工艺的详情。
台积电的3nm工艺技术最终选择什么路线，对半导体行业来说很重要，因为目前能够深入到3nm节点的就剩下台积电和三星了，其中三星去年就抢先宣布了3nm工艺，明确会放弃finfet晶体管，转向gaa环绕栅极晶体管技术。
具体来说，三星的3nm工艺分为3gae、3gap，后者的性能更好，不过首发的是第一代gaa晶体管工艺3gae。根据官方说法，基于全新的gaa晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了mbcfet（multi-bridge-channel fet，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代finfet晶体管技术。
此外，mbcfet技术还能兼容现有的finfet制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
在2019年的日本sff会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星计划在2030年前投资1160亿美元打造半导体王国，由于在7nm、5nm节点上都要落后于台积电，所以三星押注3nm节点，希望在这个节点上超越台积电成为第一大晶圆代工厂，因此三星对3gae工艺寄予厚望，最快会在2021年就要量产。
至于台积电，在3nm节点他们也大举投资，去年宣布斥资195亿美元建设3nm工厂，2020年会正式开工，不过技术细节一直没有透露，尤其是台积电是否会像是三星那样选择gaa晶体管或是会继续改进finfet晶体管，这两种技术路线会影响未来很多高端芯片的选择。
Cat1模组助力光伏行业“向阳而生”
WCDMA与CDMA2000网络结构比较
测试功率半导体的通用动态测试和短路测试
口罩机用超声波焊接时需要注意哪些问题
库克正在使用ChatGPT 苹果也正密切关注这项技术
台积电5nm量产顺利，3nm工艺4月揭秘
接近传感器的选型原则解析
铁基超导体.重费米子化合物.赝能隙.这些量子材料的概述
泼向火爆VR的五大瓶颈冷水！
蓝牙技术联盟推出新一代的蓝牙音频技术标准
12个树莓派音乐项目的介绍
USB总线介绍及应用
电机使用绝缘轴承的益处与使用非绝缘轴承的危害
是什么让人工智能的热度只增不减
北京联通携手华为完成超级上行开通
翎翔余压监控系统为救火英雄护航
站在AI风口下,独角兽估值百亿美元
恒温恒湿箱(专业型）跟普通型之间的区别是什么
千元机也要造反，魅蓝5S与荣耀8青春版热度远超红米
云鸟简述：【电动汽车充电桩】智能充电桩种类及安装条件
魏哲家表示，台积电目前话没有大规模量产5nm芯片，但已经研发多年，并且早已进行了试产。目前5nm工艺进展非常顺利，将会于今年上半年实现大规模量产，下半年产能会有比较显著的提升。
相比7nm工艺，5nm在晶体管密度方面提升了80%，速度提升20%，当然这些数据都是理论值。今年5nm将会为台积电带来10%的营收，如果不出意外，第一款采用台积电5nm的芯片将会是苹果的a14。
3nm具体情况4月公布，将决战三星 上周台积电宣布2020年的资本开支是150到160亿美元，其中80%将投向先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm。这次说法会上台积电没有公布3nm工艺的情况，因为他们4月份会有专门的发布会，会公开3nm工艺的详情。
台积电的3nm工艺技术最终选择什么路线，对半导体行业来说很重要，因为目前能够深入到3nm节点的就剩下台积电和三星了，其中三星去年就抢先宣布了3nm工艺，明确会放弃finfet晶体管，转向gaa环绕栅极晶体管技术。
具体来说，三星的3nm工艺分为3gae、3gap，后者的性能更好，不过首发的是第一代gaa晶体管工艺3gae。根据官方说法，基于全新的gaa晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了mbcfet（multi-bridge-channel fet，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代finfet晶体管技术。
此外，mbcfet技术还能兼容现有的finfet制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
在2019年的日本sff会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星计划在2030年前投资1160亿美元打造半导体王国，由于在7nm、5nm节点上都要落后于台积电，所以三星押注3nm节点，希望在这个节点上超越台积电成为第一大晶圆代工厂，因此三星对3gae工艺寄予厚望，最快会在2021年就要量产。
至于台积电，在3nm节点他们也大举投资，去年宣布斥资195亿美元建设3nm工厂，2020年会正式开工，不过技术细节一直没有透露，尤其是台积电是否会像是三星那样选择gaa晶体管或是会继续改进finfet晶体管，这两种技术路线会影响未来很多高端芯片的选择。
Cat1模组助力光伏行业“向阳而生”
WCDMA与CDMA2000网络结构比较
测试功率半导体的通用动态测试和短路测试
口罩机用超声波焊接时需要注意哪些问题
库克正在使用ChatGPT 苹果也正密切关注这项技术
台积电5nm量产顺利，3nm工艺4月揭秘
接近传感器的选型原则解析
铁基超导体.重费米子化合物.赝能隙.这些量子材料的概述
泼向火爆VR的五大瓶颈冷水！
蓝牙技术联盟推出新一代的蓝牙音频技术标准
12个树莓派音乐项目的介绍
USB总线介绍及应用
电机使用绝缘轴承的益处与使用非绝缘轴承的危害
是什么让人工智能的热度只增不减
北京联通携手华为完成超级上行开通
翎翔余压监控系统为救火英雄护航
站在AI风口下,独角兽估值百亿美元
恒温恒湿箱(专业型）跟普通型之间的区别是什么
千元机也要造反，魅蓝5S与荣耀8青春版热度远超红米
云鸟简述：【电动汽车充电桩】智能充电桩种类及安装条件