MOS管的开关特性
mos管的开关特性
1、静态特性
mos管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于mos管是电压控制元件，所以主要由栅源电压ugs决定其工作状态。
工作特性如下：
ugs开启电压ut：mos管工作在截止区，漏源电流ids基本为0，输出电压uds≈udd，mos管处于“断开”状态，其等效电路如下图所示。
ugs》开启电压ut：mos管工作在导通区，漏源电流ids=udd/（rd+rds）。其中，rds为mos管导通时的漏源电阻。输出电压uds=udd·rds/（rd+rds），如果rds《rd，则uds≈0v，mos管处于“接通”状态，其等效电路如上图（c）所示。
2、动态特性
mos管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。下图分别给出了一个nmos管组成的电路及其动态特性示意图。
当输入电压ui由高变低，mos管由导通状态转换为截止状态时，电源udd通过rd向杂散电容cl充电，充电时间常数τ1=rdcl，所以，输出电压uo要通过一定延时才由低电平变为高电平。
当输入电压ui由低变高，mos管由截止状态转换为导通状态时，杂散电容cl上的电荷通过rds进行放电，其放电时间常数τ2≈rdscl。可见，输出电压uo也要经过一定延时才能转变成低电平。但因为rds比rd小得多，所以，由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。
由于mos管导通时的漏源电阻rds比晶体三极管的饱和电阻rces要大得多，漏极外接电阻rd也比晶体管集电极电阻rc大，所以，mos管的充、放电时间较长，使mos管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过，在cmos电路中，由于充电电路和放电电路都是低阻电路，因此，其充、放电过程都比较快，从而使cmos电路有较高的开关速度。
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