光耦合器的BGA封装技术
光耦合器的bga封装
光耦合器的一项普遍应用是专用调制解调器，允许电脑与电话线连接，且消除电气瞬变引起的风险或损害。光耦合器除提供高度电气绝缘外，还可提高差模信号与共模信号的比率。
dip广泛用于集成电路的封装，也用于常规的光耦合器（如图1所示）。厂家通常制造具有4、6、8或16接脚的各种型式dip封装光耦合器。
图1 常规dip光耦合器封装
不过，p-dip光耦合器的封装可以进一步改进，例如，光耦合器封装需要昂贵和费时的过成型(overmolding)处理。在这个处理过程中，成型化合物灌封光耦合器封装的其它部分。除过成型工艺本身外，还需要采取成型材料清除工艺(例如除废物和除闪烁工艺)除掉多余的成型化合物，这就增加了光耦合器封装的时间和费用。
此外，厂家还需要投入较多的资金，用于成型不同外形尺寸封装(如4、6或8接脚封装)的工具，因此，如果能够省去过成型工艺，就可减少制造光耦合器封装的相关时间和成本。此外，dip光耦合器封装并不能很好地以表面附着方式安装到pcb板上-必须重整引脚以便进行表面安装回流焊，这常常存在引起微小裂缝的危险，影响组件的可靠性。更进一步地，对于其它组件使用薄型表面安装的封装形式，如tssop或tqft器件的用户来说，这样重整后的dip封装的高度仍存在问题。
图1 采用bga封装的单通道光耦合器
光耦合器bga2的设计特性可解决这些问题，它是高度不超过1.20mm，占位面积小于现有的pdip外形尺寸的低侧高小型表面安装组件。光耦合器bga封装（如图2所示）不需要灌封材料(成型化合物)，而且它的制造工具与封装的外形尺寸无关。其设计也可改善封装在热循环等加速测试中的可靠性能。采用无铅焊球可构建完全无铅的封装。
光耦合器bga封装包括氧化铝基底，其上形成图案踪迹和区域，用于砷化镓发光二极管(led)和光电探测器硅组件的晶片附着，led的焊接方法使其可以被施加外接偏压，光电探测器连接至输出。采用光涂层结合led和光电探测器，以进行介质之间的大量传输。而且，采用反射涂层覆盖光涂层，使传送到感光性晶片的辐射达到最大。焊球形成二层互连(封装至pcb板)，图3所示为光耦合器bga封装的截面。
采用业界传统的基底厚度和工艺，便可以构造侧高很低的可表面安装式光耦合器封装，而且，利用封装设计的独特性能，便可以省去一组投资极高的工艺步骤：成型、除闪烁、修整和重整。采用钻石轮划片的晶片锯切方式可完成光耦合器bga的单一化。
光耦合器的技术参数
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo、集电极-发射极饱和压降vce(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
最重要的参数是电流放大系数传输比ctr（curremt-trrasfer ratio）。通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流ic与直流输入电流if的百分比。当接收管的电流放大系数hfe为常数时，它等于输出电流ic之比，通常用百分数来表示。有公式：
ctr=ic/if×100%
采用一只光敏三极管的光耦合器，ctr的范围大多为20%～30%（如4n35），而pc817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4n30）可达100%～500%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，ctr参数与晶体管的hfe有某种相似之处。普通光耦合器的ctr-if特性曲线呈非线性，在if较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的ctr-if特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(δctr＝δic/δif)很接近于直流电流传输比ctr值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：
（1）光耦合器的电流传输比(ctr)的允许范围是50%～200%。这是因为当ctr＜50%时，光耦中的led就需要较大的工作电流(if＞5.0ma)，才能正常控制单片开关电源ic的占空比，这会增大光耦的功耗。若ctr＞200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。
（2）推荐采用线性光耦合器，其特点是ctr值能够在一定范围内做线性调整。
（3）由英国埃索柯姆(isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4n××系列(如4n25、4n26、4n35)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，因此不推荐用在开关电源中。
通用型与达林顿型光耦合器区分：
方法一：
在通用型光耦合器中，接收器是一只硅光电半导体管，因此在b-e之间只有一个硅pn结。达林顿型不然，它由复合管构成，两个硅pn结串联成复合管的发射结。根据上述差别，很容易将通用型与达林顿型光耦合器区分开来。具体方法是，将万用表拨至r×100档，黑表笔接b极，红表笔接e极，采用读取电压法求出发射结正向电压vbe。若vbe=0.55～0.7v，就是达林顿型光耦合器。
方法二：
通用型与达林顿型光电耦合的主要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hfe为几十倍至几百倍，后者可达数千倍，二者相差1～2个数量级。因此，只要准确测量出hfe值，即可加以区分。
在测量时应注意事项：
（1）因为达林顿型光耦合器的hfe值很高，所以表针两次偏转格数非常接近。准确读出n1、 n2的格数是本方法关键所在，否则将引起较大的误差。此外，欧姆零点亦应事先调准。
（2）若4n30中的发射管损坏，但接收管未发现故障，则可代替超β管使用。同理，倘若4n35中的接收管完好无损，也可作普通硅npn晶体管使用，实现废物利用。
（3）对于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器，本方法不再适用。建议采用测电流传输比ctr的方法加以区分。
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