CG2H80120D C波段GaN HEMT 芯片CREE
wolfspeed的cg2h80120d是种氮化镓(gan)高电子迁移率晶体管(hemt)。与硅或砷化镓相比较，gan具备更优越的性能；cg2h80120d包含更高击穿场强；更高饱和电子漂移速率；和更高热导率。与si和gaas晶体管相比较，cg2h80120d具备更高功率密度和更宽的带宽。
特征
120w经典psat
28伏操控
高击穿场强
高温度操控
高至8ghz的操控
高效率
应用
2路专用无线通信
宽带放大器
蜂窝基础设施建设
测试设备
classa;ab；主要用于ofdm的线性放大器；无线频分多址；边缘;cdma波形
cree（科锐）成立于1987年，cree科锐具备30多年的宽带gap原材料和创新产品，cree科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，cree科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。cree科锐由最开始的gan基材led产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，cree科锐于2017年分离出微波射频品牌wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是cree的经销商，拥有cree微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
product sku technology frequency min frequency max peak output power gain efficiency operating voltage form package type
cg2h80120d-gp4 gan on sic dc 8 ghz 120 w >12 db 65% 28 v discrete bare die die
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