隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）
报告作者：david seymour
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 mosfet 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 igbt（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 sic（碳化硅）
驱动器进化以支持 gan（氮化镓）
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隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）
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